מיקום זרחין 10 רעננה
מען למכתבים: משה הס 10 רעננה
info@ordos.co.il


Tel:09-7711018
Fax:09-7711019

קרינה נפלטת - Radiated emission
קרינה נפלטת - Radiated emission

​בתחום התאימות האלקטרו-מגנטית המונח קרינה אלקטרו-מגנטית מתייחס לפליטה לא מתוכננת של אנרגיה אלקטרו-מגנטית ממכשירים ורכיבים אלקטרוניים. כל מכשיר אלקטרוני מייצר שדה אלקטרו-מגנטי שנפלט שלא בכוונה תחילה ממסגרת המכשיר לאוויר. 
בדרך כלל הקרינה הנפלטת משוייכת למכשירים שפולטית קרינה אלקטרו-מגנטית בצורה בלתי מכוונת, אבל גם למכשירים הפולטים קרינה כחלק אינטגרלי מעבודתם יש קרינה נפלטת לא רצויה הגם שלא בתחום העבודה. 


התקינה הבינלאומית מגדירה את רמת הקרינה שמכשיר יכול לפלוט וכל ציוד או רכיב אלקטרוני המאושר ע"י גופי הפיקוח השונים. הבנה של עקרונות ההפרעות האלקטרו-מגנטיות של רכיבים יעזור רבות בתכנון מוצר שיעמוד בתקינה ולא "יפריע" למכשירים המוגדרים לעבודה בסביבתו לעבוד.

חשוב להבין את המושגים שמאחורי מקורות פליטת הקרינה, על מנת להבין את הדרך הנכונה לתכנון ועיצוב כרטיסים ומכשירים בצורה טובה ונכונה על מנת לצמצם את הפליטה (עד לעמידה בתקנים).

ישנה פליטה שמקורה בזרימת זרם בתדרים מסויימים על גבי כבלים ומוליכים במערכת. אפשר להבחין בפליטות קרינה בזרם הזורם בלולאה (וככה נוצר השדה המגנטי H) או זורם על מוליך/חוט, בזרם ישר (וככה נוצר השדה החשמלי E). חשוב להבין את הרעיון של שדה מגנטי משתנה (Radio Frequency - RF)  יוצר שדה חשמלי חדש, ושדה חשמלי משתנה (RF) יוצר שדה חשמלי חדש.

השילוב של שדה מגנטי והשדה החשמלי המקביל שלו הוא מה שמכונה - גלי רדיו. היחס של שדה חשמלי ושדה מגנטי בנקודה מסויימת נקרא עכבת גל - אימפדנס (Z = E / H). במרחק שווה ממקור שדה מגנטי וממקור שדה חשמלי אין אפשרות להבחין מאיפה נוצרת הפילטה אותה רואים, מרחק זה הוא יחס שיווי המשקל בין השדות. נקודה זו היא המקום שבו שדה קרוב הופך, כביכול לשדה רחוק.
המרחק של נקודה זו מהמקור הוא תלוי תדר כמובן ושווה בקירוב לאורך הגל של תדר המקור חלקי 2 פאי (2Pi ~ 6.38). לדוגמא: להפרעה בתדר 100MHz השינוי בין שדה קרוב ורחוק קורה במרחק של 0.5m בקירוב. בטווח השדה הקרוב השדה האלקטרו-מגנטי הוא בעיקר חשמלי או מגנטי. בטווח השדה הרחוק עכבת הגל (האימפדנס ביחס E / H) של הגלים האלקטרו-מגנטים היא תמיד 377
Ω (אוהם)

שדה חשמלי נמדד ביחידות Si כמו V/M (וולט למטר), זה אומר ששדה של 1V/M ניתן ליצור על ידי פוטנציאל של 1V על פני מרחק של 1M (דמיינו קבלים גדולים). שדה מגנטי נמדד ביחידות Si כמו A/M (אמפר למטר)ף המשמעות של זה היא ששדה של 1v/m יווצר במרחק של 1/2Piמ' (היקף של 1m) מחוט ארוך מאוד המוליך זרם של 1 אמפר.

באופן מסורתי פליטת קרינה נמדדת עם אנטנה הרגישה לשדה החשמלי בלבד. על ידי הגבלת המדידה שלנו לשדה הרחוק, אנחנו עכשיו יכולים לדעת גם את רכיב השדה המגנטי. ברוב הבדיקות אנחנו אפילו לא מזכירים יותר את רכיב השדה המגנטי, אבל הוא קיים וחשוב לזכור את זה.